고압어닐링장비는 3나노 이후 GAA와 10나노급 DRAM 미세화로 수소 분자 침투 한계와 배선 이상 가능성이 제기된다. 400도 이하의 고압으로 수소를 도입해 계면 결함을 치료하는 방식이며, 메모리 분야에서도 도입 시점이 다가오고 처리량 이점이 있다. 글로벌 Top Tier 메모리기업과의 추가 공급계약 추진으로 1d 양산 시점은 2027년경으로 예상된다.