현재 개발 중입니다. 일부 데이터나 기능에 오류가 있을 수 있습니다.
← 반도체
원문 ↗
REPORT · 한화투자증권

하반기 메모리 가격은 예상보다 더 좋을 것

2026-06-25읽는 데 약 1분
요약 · TL;DR
  • 013분기 범용 DRAM과 NAND 가격이 시장의 초기 기대치를 상회할 가능성이 높다고 판단한다.
  • 02DRAM의 3분기 가격 상승률은 QoQ로 15~25% 수준에 도달할 수 있으며 NAND도 QoQ 20~25% 수준의 상승이 예상된다.
  • 03공급 측면에서 재고가 이미 바닥권이며 신규 생산분도 즉시 소진되어 재고 보충 수요가 남아 있어 하반기에도 공급 부족 현상이 지속될 가능성이 있다.
  • 04범용 메모리의 공급 증가 시점은 2028년 상반기로 예상되며, 2026~2027년은 HBM 중심의 공급 증가와 범용 DRAM의 선단 공정 전환 및 수율 개선에 의존하는 구간이 될 것이다.
  • 05HBM의 수익성은 2분기에 범용 메모리와 유사하거나 소폭 역전되었으나, 내년에는 다시 HBM의 수익성이 앞설 것으로 예상된다.
리스크
  • !HBM을 중심으로 한 공급 증가가 실제로 시장 기대보다 더 늦어지거나 가격 인상이 제한될 위험이 남아 있다.
  • !HBM4 본격 출하가 시작되더라도 범용 DRAM의 공급 부족이 단기간에 해소되기 어렵고 가격 흐름이 불확실하다.

본문

3분기 범용 DRAM과 NAND 가격은 초기 기대치를 상회할 가능성이 크다며, DRAM은 QoQ 15~25%, NAND는 20~25% 상승이 예상된다. 재고가 바닥권으로 보이고 신규 생산분도 즉시 소진되어 하반기에도 공급 부족이 지속될 가능성이 크다. 다만 2028년 상반기에 범용 메모리 공급이 증가하고, HBM은 2026~2027년에 선단 공정 전환과 수율 개선에 의존하는 구간이 이어질 전망이다.

이 리포트, 어떻게 보세요?

이 요약은 원문 발췌이며, 원문 링크는 위 byline에서 확인할 수 있습니다.

관련 종목
반도체
종목 통합 보기 →

본 내용은 투자 참고용 정보이며 투자 권유·자문이 아닙니다. 요약·분석은 BriefEdge가 자체 작성한 것으로 원문과 차이가 있을 수 있으며, 정확성을 보장하지 않습니다. 투자 판단과 책임은 이용자 본인에게 있습니다. 원문은 출처 링크에서 확인하세요. 자세히

이 리포트 관련 질문

Q. 반도체 한화투자증권 리포트 핵심은?

3분기 범용 DRAM과 NAND 가격은 초기 기대치를 상회할 가능성이 크다며, DRAM은 QoQ 1525%, NAND는 2025% 상승이 예상된다. 재고가 바닥권으로 보이고 신규 생산분도 즉시 소진되어 하반기에도 공급 부족이 지속될 가능성이 크다. 다만 2028년 상반기에 범용 메모리 공급이 증가하고, HBM은 20262027년에 선단 공정 전환과 수율 개선에 의존하는 구간이 이어질 전망이다.

Q. 반도체 투자 포인트와 리스크는?

투자 포인트: 3분기 범용 DRAM과 NAND 가격이 시장의 초기 기대치를 상회할 가능성이 높다고 판단한다.; DRAM의 3분기 가격 상승률은 QoQ로 15~25% 수준에 도달할 수 있으며 NAND도 QoQ 20~25% 수준의 상승이 예상된다.; 공급 측면에서 재고가 이미 바닥권이며 신규 생산분도 즉시 소진되어 재고 보충 수요가 남아 있어 하반기에도 공급 부족 현상이 지속될 가능성이 있다.. 리스크: HBM을 중심으로 한 공급 증가가 실제로 시장 기대보다 더 늦어지거나 가격 인상이 제한될 위험이 남아 있다.; HBM4 본격 출하가 시작되더라도 범용 DRAM의 공급 부족이 단기간에 해소되기 어렵고 가격 흐름이 불확실하다..