웨이퍼 워피지로 인한 메모리 반도체 수율 저..

• 01웨이퍼 워피지 현상으로 인해 메모리 반도체 수율 저하가 지속될 가능성이 있다.
• 02WS의 워피지 해소를 위해 BSD(Back Side Deposition) 장비의 도입이 확대될 전망이다.
• 03NAND의 2.5~3K당 1대, DRAM/HBM의 5~7K당 1대 수준의 수요가 예상되며 메모리 메이커의 증설이 가속화될 가능성이 있다.
• 04HBM4의 워피지 민감도가 HBM3E 대비 커질 수 있는데, 다이 박형화와 응력 밀집으로 인해 수율 저하 요인이 증가한다.
• 05Dram 및 NAND의 고단화 및 박막 적층 증가로 인해 웨이퍼 워피지가 과거 대비 심화되고 있다.
• 06BSD는 앞면에 쌓인 박막의 응력을 반대 방향의 보정막으로 증착해 휨을 보정하는 장비로, 보정막의 두께와 응력을 정밀하게 조절해야 한다.

• !BSD의 구현 성능과 공정 변수에 따라 보정막이 과도하게 작용하거나 부족하면 휨 보정이 실패할 수 있다.
• !HBM4 및 NAND의 증설 수요가 예상보다 느려지면 BSD 수요도 영향을 받을 수 있다.

메모리 반도체의 웨이퍼 워피지 현상으로 수율 저하가 지속될 가능성이 있다. BSD 도입 확대가 예고되며, NAND·DRAM 수요 증가로 메모리 제조사들의 증설이 가속될 전망이다. 다만 HBM4의 수율 민감도 증가와 박막 적층으로 인해 워피지 영향이 커질 수 있다.